RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
68
En -162% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3061
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link