RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
23.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
4124
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link