RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
2732
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link