RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
70
En -169% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3866
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Mushkin 991586 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link