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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2944
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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