RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
46
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2936
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link