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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2130
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
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