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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
74
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
1583
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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