RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2336
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link