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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
68
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
55
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
2701
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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