RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
67
68
En -1% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
67
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
1879
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link