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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2703
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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