RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3262
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link