RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3158
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link