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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
46
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
45
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2036
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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