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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
50
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2539
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
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