RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3563
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link