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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3488
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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