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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
50
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3703
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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