RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2737
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link