RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
50
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3617
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link