RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
53
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3116
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link