RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
53
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2888
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link