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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3088
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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