RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
AMD R744G2400U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2400U1S 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
96
En -336% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2862
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link