RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
72
96
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
72
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
1728
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link