RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
96
En -300% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2370
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link