RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Comparez
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Note globale
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1654
3845
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link