RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
94
Autour de -262% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
4124
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link