RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
94
Autour de -248% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
27
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2964
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link