RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
94
Autour de -224% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
29
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3573
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link