RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
94
Autour de -129% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
41
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
7.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
1512
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link