RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2110
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link