RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2104
2415
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link