RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
3371
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link