RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
2776
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link