RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
76
Autour de 46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
76
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
1718
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link