RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
3601
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link