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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de -20% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3019
2704
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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