RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
56
Autour de -12% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
50
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
2424
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link