RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
56
Autour de -8% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
52
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
2384
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link