RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
66
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3711
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link