RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
66
Autour de -128% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3901
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link