RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
66
Autour de -187% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3169
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link