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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
66
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2468
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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