RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
66
Autour de -89% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2336
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link