RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
55
66
Autour de -20% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
55
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2701
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link