RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2345
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link