RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2999
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link