RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
46
Autour de -171% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
17
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3704
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link